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PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2026-01-10

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PT124G-3500-55/55D系列不銹鋼單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2026-01-10

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PT124G-3500-55/55D系列OEM單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2026-01-10

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PT124G-3500-55/55D系列壓力變送器元件單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2026-01-10

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PT124G-3500-55/55D系列負壓力測量單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2026-01-10

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PT124G-3500-55/55D系列高精度單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2026-01-10

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PT124G-3500-55/55D系列溫度補償單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2026-01-10

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PT124G-3500-55/55D系列高過壓性能單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2026-01-10

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